下一阶段的存储性能和密度为新一波的端到端技术创新.
美光扩展3D NAND技术领先地位,232层NAND现已上市.
拥有业界最快的NAND I/O速度2.每秒4gb (GB/s), 美光的232层NAND可满足以数据为中心的工作负载的低延迟和高吞吐量要求, 比如人工智能, unstructured databases, real-time analytics, and cloud computing.1
1NAND I/O speed is 1.市场推出时为6GB/s
更大的存储容量——每个芯片可达1tb,每个封装可达2tb, 允许增加层堆叠-在更多设备中提供更多存储, enabling smarter, 更多功能的各种设备, from edge to cloud.
轻薄的移动笔记本电脑设计必须平衡对峰值性能的需求, 持久的电池寿命和圆滑的外形选择. 由于包装尺寸比前几代减少了28%, 美光232层NAND客户在使用thin时不必为了移动性和便携性而牺牲存储容量, light laptops.
美光的先进制程技术使NAND闪存创新成为可能,为空间受限和功耗敏感的移动终端用户设备优化移动存储解决方案铺平了道路. 美光232层NAND将允许低功耗应用在用户多任务时提供无缝体验, 下载或访问他们喜欢的内容.
更小的物理占用, 增加密度和低功耗的232层NAND与新兴的更快的需求相交, smaller, 边缘的节能存储. With high-capacity, 边缘的节能存储, 我们将在许多新的应用和服务中看到更大的创新和对存储的需求.
美光的232层NAND为数据中心提供了高性能, high-capacity, 高密度存储比上一代NAND提高了每比特的能量效率. 对于数据中心运营商来说,这些都是关键的进步,因为他们必须在满足电力需求的同时平衡不断增长的数据量, 房地产和可持续发展倡议.